- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录458 > IXFV36N50PS (IXYS)MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
IXFH36N50P IXFV36N50P
IXFT36N50P IXFV36N50PS
36
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
80
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
30
V GS = 10V
7V
70
V GS = 10V
7V
60
24
18
6V
50
40
30
6.5V
12
6
5V
20
6V
5.5V
0
4V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
25
36
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 18A Value vs.
Junction Temperature
30
V GS = 10V
7V
6V
3.0
V GS = 10V
24
2.6
2.2
I D = 36A
18
5.5V
1.8
I D = 18A
12
5V
1.4
1.0
6
0
4.5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 18A Value vs.
Drain Current
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
35
30
25
2.2
20
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFV74N20PS
MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S
IXFV96N15PS
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
IXFX120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
IXFX120N30T
MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
IXFX140N25T
MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
IXFX200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFV52N30P
功能描述:MOSFET 300V 52A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV52N30PS
功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV74N20P
功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV74N20PS
功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV96N15P
功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV96N15PS
功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV96N20P
功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX100N25
功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube